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国内首个，厦门大学实现 8 英寸碳化硅外延生长
2023-03-23 来源：新浪财经 点击量：215IT之家3月19日消息，据厦门大学物理学系官方消息，近日，厦门大学成功实现了8英寸（200mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首个拥有并实现该项技术的机构。
当前主流的碳化硅单晶与外延生长还处于6英寸阶段，扩大尺寸成为产业链降本增效的主要路径，然而在迈向8英寸过程中还存在诸多技术难题。
厦门大学科研团队负责人表示，通过克服了8英寸衬底应力更大、更易开裂、外延层厚度均匀性更难控制等问题，成功实现了基于国产衬底的碳化硅同质外延生长。外延层厚度为12um，厚度不均匀性为2.3%；掺杂浓度为8.4×101?cmˉ3，掺杂浓度不均匀性＜7.5%；表面缺陷（Carrot、Triangle、Downfall、Scratch）密度＜0.5cmˉ2。
上述科研团队负责人表示，本次突破，标志着我国已掌握8英寸碳化硅外延生长的相关技术。该技术的实现，是厦门大学与瀚天天成电子科技(厦门)有限公司等单位产学研合作的成果，将为我国碳化硅产业的发展注入新的动力，同时推动新能源等相关领域的发展。
IT之家查询获悉，厦门大学物理学科始创于1923年，是中国高校较早设立的物理学科之一，在中国物理学发展史上扮演了重要角色。厦大物理曾参与中国*一个五校联合半导体专门化；研制出了中国*一块导电玻璃、*一台晶体管收音机、*一个磷化镓平面发光二极管。
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